ZXMP3A16DN8TA-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款双通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于需要高功率和高耐压的应用场景，包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-7.3A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流7.3 A
导通电阻35 mΩ
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流7.3 A
导通电阻35 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V,6.3A |
| 数量 | 2个P沟道 |