台积电流片,长电科技封装;是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管,采用Trench工艺,其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252;P—Channel沟道,-60V;-30A;RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流30 A
导通电阻72 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流30 A
导通电阻72 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
其他
导通电阻(RDS(on))72mΩ@4.5V
数量1个P沟道

技术资料