Silicore(芯谷)

IVA-0550B是一种GaAs MMIC电调衰减器芯片，频率范围覆盖5GHz～50GHz，插入损耗3 .5dB, 衰减范围为 0~40dB。该芯片采用两个电调电压控制。整个工作频段内具有优良的衰减特性和端口驻波，响应速度小于20ns。

IVO-0408-CQ4是一种宽带压控振荡器芯片，频率范围覆盖4GHz~8GHz，单边带相位噪声-98dBc/Hz@100KHz，输出功率+13dBm。IVO-0408采用+5V单电源供电。IVO-0408提供采用4x4mmQFN标准陶瓷管壳封装，引脚焊盘表面采用镀金工艺处理，适用于回流焊安装工艺。

ILM-1540B是一种GaAs MMIC限幅器，频率范围覆盖15~40GHz，输入/输出端50Ω，在工作频带范围内0 .9dB， 输入输出驻波1.4，抗烧毁功率30dBm。该芯片集成了输入输出端隔直电容。该芯片采用了片上通孔金属化工艺， 保证良好接地，不需要额外的接地措施，使用简单方便。芯片背面进行了金属化处理，适用于共晶烧结工艺。

IMX-2440是一种GaAs MMIC无源双平衡混频器，芯片射频/本振频率覆盖24GHz~ 40GHz，中频频率覆盖DC ~ 10GHz，变频损耗小于8dB，射频/中频隔离度大于21dB，本振/中频隔离度大于20dB，本振/射频隔离度大于27dB， 典型本振输入功率+13dBm~ +15dBm。

频率范围：24-40GHz  小信号增益：21.5dB  噪声系数：2.0dB typ.  P-1dB：10.5dBm  供电：+5V/42mA  50Ohm 输入/输出  100%在片测试  芯片尺寸：1.6 x 0.95 x 0.09 mm

IML-3040-4A 是一款有源四倍频器芯片。当输入信号功率为0dBm 时，输出信号在30GHz~40GHz 范围内的功率 为16dBm。芯片过孔金属化工艺确保了接地良好，背面进行了金属化处理，适用于共晶烧结或导电胶粘接工艺。

频率范围：DC-20GHz 插入损耗：2.2dB@20GHz 衰减范围：20dB 控制位数：1 位 衰减精度：1dB 附加相移：3 o 50Ohm 输入/输出 芯片尺寸：QFN 3X3

频率范围：DC-20GHz  插损：3.0dB typ.  电调衰减量：26dB  输入/输出驻波：1.5：1  50Ohm 输入/输出  芯片尺寸：QFN 4X4

GaAs MMIC PA Amplifier，6-18GHz

IQMX-085135A是一种GaAs MMIC IQ混频器，频率覆盖8.5GHz~13.5GHz，中频频率覆盖DC~4.5GHz，变频损 耗8 .5dB，本振/射频隔离度46dB，本振/中频隔离度32dB，射频/中频隔离度38dB，典型本振输入功率+15dBm。 芯片背面进行了金属化处理，适用于共晶烧结或导电胶粘接工艺。RF、LO端口有隔直电容，IF端口无隔直电容。

IDA-0040-6D-PD是一种GaAs MMIC 6位数控衰减器芯片，频率范围覆盖DC～40GHz，插入损耗4.3dB，开关速 度50ns，芯片内部集成驱动器，采用0/+5V控制。芯片过孔金属化工艺确保了接地良好，背面进行了金属化处理， 适用于共晶烧结或导电胶粘接工艺。

GaAs MMIC低噪声放大器芯片，0.05-5GHz

IML-1326-2B 是一款有源二倍频器芯片。当输入信号功率为-4dBm 时，输出信号在13GHz~26GHz 范围内的功 率为17dBm。芯片过孔金属化工艺确保了接地良好，背面进行了金属化处理，适用于共晶烧结或导电胶粘接工艺。

频率范围：20-40GHz  插入损耗：1.4dB  隔离度：53dB  开态驻波比: 1.2  50Ohm 输入/输出  100%在片测试  芯片尺寸：1.6x 1.6x 0.1mm