搜索结果:AO3407

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单 FET,MOSFET

MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3

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P沟道,-30V,-4.1A

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P沟道,-30V -4.1A

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类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.1A

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1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A适用于电源开关和信号控制

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具有低导通电阻、高速开关特点,适用于电源管理、电机驱动及高频电源转换器领域

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P沟道,-30V,-3.8A,46mΩ@-10V,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子

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AO3407

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AO3407

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

MOS 配置 独立式;沟道类型 P 沟道;漏源击穿电压(Vds) -30V;连续漏极电流(Id) -4.3A;栅极开启电压 (Vgs (th)) -1.0V~-3.0V;导通内阻 (Rds (on)) 110mΩ@Vgs=-10V;耗散功率 (Pd) 1.25W;工作结温范围 -55℃~+150℃

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单 FET,MOSFET

AO3407 SOT-23场效应管

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