搜索结果:AO3407
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产品搜索结果共 50+ 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 单 FET,MOSFET | MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3 | 数据手册5 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | P沟道,-30V,-4.1A | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
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| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | P沟道,-30V -4.1A | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册2 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.1A | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册3 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A适用于电源开关和信号控制 | 数据手册4 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 具有低导通电阻、高速开关特点,适用于电源管理、电机驱动及高频电源转换器领域 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册1 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册3 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | P沟道,-30V,-3.8A,46mΩ@-10V,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。 | 数据手册4 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册9 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | AO3407 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | AO3407 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOS 配置 独立式;沟道类型 P 沟道;漏源击穿电压(Vds) -30V;连续漏极电流(Id) -4.3A;栅极开启电压 (Vgs (th)) -1.0V~-3.0V;导通内阻 (Rds (on)) 110mΩ@Vgs=-10V;耗散功率 (Pd) 1.25W;工作结温范围 -55℃~+150℃ | 查看详情 | |||||
| 单 FET,MOSFET | AO3407 SOT-23场效应管 | 查看详情 |
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