搜索结果:BSS84PH6327-VB

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对比产品型号品牌分类产品描述技术资料替代操作
晶体管 - FET,MOSFET - 单

台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;P—Channel沟道;-60V;-0.5A;RDS(ON)=3000(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;

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