搜索结果:IRF3205Z

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

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MOSFET N-CH 55V 75A TO262

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;

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应用于电源转换、电机驱动等场合,提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。TO263;N—Channel沟道,60V;150A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。TO263;N—Channel沟道,60V;150A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;

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