搜索结果:IRF3205Z
共 20 条- 匹配型号20
- 有数据手册19
- 涉及品牌5
产品搜索结果共 20 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | 数据手册8 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 查看详情 | ||||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET N-CH 55V 75A TO262 | 数据手册5 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 数据手册4 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET N-CH 55V 75A TO262 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 55V 75A TO262 | 数据手册3 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 数据手册3 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 55V 75A TO262 | 数据手册4 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 数据手册5 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | 数据手册4 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V; | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 应用于电源转换、电机驱动等场合,提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。 | 数据手册8 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。TO263;N—Channel沟道,60V;150A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V; | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 数据手册3 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。TO263;N—Channel沟道,60V;150A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V; | 数据手册1 | 查看详情 |
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