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MOSFET P-CH 30V SOT-23

MOSFET P-CH 30V HEXFET SOT-23

MOSFET P-CH 30V SOT-23

MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23

MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23

MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23

MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23

MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3

IRLML5103PbF 是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适用于空间有限的电路设计。该器件具有30V的额定电压VDSS，提供4.1A的连续电流ID，并且其导通电阻仅为48mR，保证了在中等功率应用中的高效能与低损耗。广泛应用于电源开关、电池保护电路以及各类负载驱动系统中，是电子工程师设计高效能方案的优选半导体元器件。

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；