搜索结果:SM4805

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

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单 FET,MOSFET

这款N沟道MOSFET场效应管具有出色的电气特性,其最大漏极电流ID可达8.5A,击穿电压VDSS高达30V,导通电阻RDON仅为15mΩ,在VGS为20V时能够保持稳定工作。此款器件适用于各种需要高效能开关或信号放大的应用场景,如电源管理、消费电子产品中的快速切换和低损耗传导等。其紧凑的设计和高性能指标,使其成为现代电子产品设计中的理想选择。

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

SOP8;2个N—Channel沟道,30V;8.5A;RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;

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