搜索结果:TW12

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产品搜索结果共 13 条

对比产品型号品牌分类产品描述技术资料替代操作
无尘室处理剂、清洁剂、擦拭巾

WIPES PRE-SAT ELECTRONICS 24PCS

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旋转式电位计,变阻器

POT 25 OHM 1W WIREWOUND LINEAR

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旋转式电位计,变阻器

POT 250 OHM 1W WIREWOUND LINEAR

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旋转式电位计,变阻器

POT 2.5K OHM 1W WIREWOUND LINEAR

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旋转式电位计,变阻器

POT 25K OHM 1W WIREWOUND LINEAR

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

N沟道/30V/120A

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单 FET,MOSFET

The TW123V65C is a Toshiba MOSFETs product. N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ω(typ.)@18 V, DFN 8×8, 3rd Gen. Switching regulators| Find data sheet and product information from the product details page.

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磁性传感器 - 线性,罗盘(IC)

The TW12BLK13 Joystick features versatile output options (5V-45V), a sleek black design, and durable 28AWG PTFE termination for reliable connections and precise control.

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磁性传感器 - 线性,罗盘(IC)

The TW12BLU13 Joystick features a vibrant blue actuator, offers output options from 0.5V to 45V, and includes durable 28AWG 41cm PTFE wire for reliable connections.

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磁性传感器 - 线性,罗盘(IC)

The TW12GRY13 Joystick features versatile voltage outputs (0.5V-4.5V), a stylish grey actuator, and a reliable 28AWG PTFE termination for seamless system integration.

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磁性传感器 - 线性,罗盘(IC)

The TW12RED13 Joystick features versatile output options, a voltage range of 5V to 45V, and durable 28AWG PTFE cables, all wrapped in a stylish red actuator.

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

N沟道/30V/120A

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单 FET,MOSFET

【联系:sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻为94mΩ,在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性,在高频、高效率电力转换场景中表现出优异的开关性能与热稳定性,适用于对能效和功率密度有较高要求的电源系统,如服务器电源、可再生能源逆变器及高频率开关电源等应用场合。

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