HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系：sales@hxymos.com】该N沟道场效应管额定漏极电流为0.1安培，漏源击穿电压60伏，导通电阻1300毫欧，栅源电压耐受值20伏。器件适用于低压信号切换及小功率负载驱动场景，常见于便携式仪器电源管理、电池保护回路及小型控制模块。其参数特性支持在紧凑电路设计中实现高效的开关控制，满足对空间布局与基础电气性能有明确要求的电子设备应用需求。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
Continuous drain current100 mA
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SOT-323 |
| Other | |
| ID | 0.1A |
| RDON | 1300mR |
| TYPE | N沟道 |
| VDSS | 60V |
| VGS | 20V |