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View full reportTechnical parameters
| Power | |
|---|---|
| IC(25℃)-最大集电极电流 | 75A |
| VCES-集射极阻断电压 | 1200V |
| Other | |
| Eoff-关断损耗能量 | 6.2mJ |
| Eon-开通损耗能量 | NmJ |
| Pd-功率耗散 | 385W |
| Qg-栅极电荷 | NnC |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 1.85V |
| 内置整流二极管 | 1 |
| 内置整流桥堆 | 0 |
| 单位温升 | 0.39℃/W |
| 隔离型IGBT | 0 |
| Power | |
|---|---|
| IC(25℃)-最大集电极电流 | 75A |
| VCES-集射极阻断电压 | 1200V |
| Other | |
| Eoff-关断损耗能量 | 6.2mJ |
| Eon-开通损耗能量 | NmJ |
| Pd-功率耗散 | 385W |
| Qg-栅极电荷 | NnC |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 1.85V |
| 内置整流二极管 | 1 |
| 内置整流桥堆 | 0 |
| 单位温升 | 0.39℃/W |
| 隔离型IGBT | 0 |