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BAV99LT1G-HXY 国产替代 型号

BAV99LT1G-HXY
原型号
HXY MOSFET(华轩阳电子)BAV99LT1G-HXY
整流电流200mA正向压降(Vf)1.25V@150mA直流反向耐压(Vr)70V耗散功率(Pd)225mW