BT136-800E 国产替代型号

原型号

JSMSEMI(杰盛微)BT136-800E

可控硅类型1个双向可控硅断态峰值电压(Vdrm)800V门极触发电压(Vgt)1.5V门极触发电流(Igt)35mA

BT136-800E 国产替代 型号