BTA316B-600B0 国产替代型号

原型号

WeEn SemiconductorsBTA316B-600B0

di/dt-通态电流上升率NA/usITRMS-通态电流有效值16AITSM-不可重复峰值通态电流140AVDRM-断态可重复峰值电压600V

BTA316B-600B0 国产替代 型号