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C12N60F/C12N65F
国产替代
型号
原型号
BG
BGSEMI
C12N60F/C12N65F
ID-最大漏极电流
12A
Qg-栅极电荷
NnC
RDS(on)-漏源导通阻抗
750mΩ
VDSS-最大漏源电压
650V
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