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HRUM002N02T2L 国产替代 型号

HRUM002N02T2L
原型号
HXY MOSFET(华轩阳电子)HRUM002N02T2L
导通电阻(RDS(on))150mΩ@4.5V,1.2A数量1个N沟道漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)1.2A