MJD127T4G-HXY 国产替代 型号

原型号

HX

HXY MOSFET(华轩阳电子)MJD127T4G-HXY

晶体管类型PNP耗散功率(Pd)1.5W集射极击穿电压(Vceo)100V集电极电流(Ic)8A