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OSM1N1P65 国产替代 型号

原型号
orisilicon(矽源)OSM1N1P65
导通电阻(RDS(on))13Ω@0V；15Ω@10V数量1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)1A