Si2312CDS-T1-GE3-HXY 国产替代 型号

原型号

HX

HXY MOSFET(华轩阳电子)Si2312CDS-T1-GE3-HXY

导通电阻(RDS(on))27mΩ@4.5V数量1个N沟道漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)6A