DIODE GEN PURP 1KV 10A R-6

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反向耐压1 kV
平均整流电流10 A
正向压降1.1 V
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技术参数

反向耐压1 kV
平均整流电流10 A
正向压降1.1 V最大 · 10 A
类型标准Standard Recovery >500ns,> 200mA (Io)
电源
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 1000 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 10 A
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature - Junction-55°C~200°C
PackageBulk
Package / CaseR-6, Axial
Supplier Device PackageR-6
其他
Capacitance @ Vr, F-
Diode TypeStandard
MfrYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Product StatusActive
Series-
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

技术资料

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