11N10-JSM
晶体管 - FET，MOSFET - 单专为中高压环境下消费电子设备的电源管理而设计，实现高效、稳定的开关控制，是优化系统性能的理想半导体元件。
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流15 A
导通电阻100 mΩ
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流15 A
导通电阻100 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 15A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,10A |
| 数量 | 1个N沟道 |