11N10-VB TO252
晶体管 - FET，MOSFET - 单TO252；N—Channel沟道,100V；15A；RDS(ON)=114mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；
耐压100 V
连续漏极电流15 A
导通电阻114 mΩ
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耐压100 V
连续漏极电流15 A
导通电阻114 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 15A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 114mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 3W |