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11N10

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压100 V
连续漏极电流110 A
导通电阻9 mΩ

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技术参数

耐压100 V
连续漏极电流110 A
导通电阻9 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)110A
其他
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V
耗散功率(Pd)220W

技术资料

数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 370.6 KB · 2026-09-21
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