1N4448

DIODE GEN PURP 100V 300MA DO-35

Vishay 1N4448 是一款硅外延平面快恢复二极管，反向耐压 100V，平均正向电流 150mA，适用于极快开关电路。规格书核对

反向耐压100 V

平均整流电流150 mA

正向压降1 V

类型开关二极管

全部替代型号

反向耐压100 V

平均整流电流150 mA150 mA (V_R=0)

正向压降1 V最大 · Max 1 V (I_F=100mA)，Max 0.72 V (I_F=5mA)

类型开关二极管

18 项

参数	值和测试条件	出处
反向耐压	100 V
平均整流电流	150 mA (V_R=0)
正向压降	Max 1 V (I_F=100mA); Min 0.62 V, Max 0.72 V (I_F=5mA)
类型	Silicon Epitaxial Planar Diodes / Fast Switching Diodes
封装	Ammopack (1N4448-TAP), Tape and Reel (1N4448-TR)
工作温度	200 °C
存储温度范围	-65...+200 °C
峰值正向浪涌电流	2 A (t_p=1μs)
重复峰值正向电流	500 mA
正向电流	300 mA
功率耗散	500 mW (I=4 mm, T_L≤25°C); 440 mW (I=4 mm, T_L=45°C)
反向电流	Max 25 nA (V_R=20 V); Max 5 μA (V_R=75 V)
击穿电压	Min 100 V (I_R=100μA, t_p/T=0.01, t_p=0.3ms)
二极管电容	Max 4 pF (V_R=0, f=1MHz, V_HF=50mV)
反向恢复时间	Max 8 ns (I_F=I_R=10mA, i_R=1mA); Max 4 ns (I_F=10mA, V_R=6V, i_R=0.1xI_R, R_L=100Ω)
整流效率	Min 45 % (V_HF=2V, f=100MHz)
结到环境热阻	350 K/W (I=4 mm, T_L=constant)
RoHS	Not manufactured with ozone depleting substances

全部参数（7 项）展开收起

电源
Forward current	300 mA
Forward voltage	0.72 V (Max)
Power dissipation	500 mW
Repetitive peak reverse voltage	100 V
环境与封装
Junction temperature	200 °C
Storage temperature range	-65...+200 °C
其他
Reverse recovery time	8 ns (Max)

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。