HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

该稳压二极管具有12V的反向击穿电压（VR），在正常工作时正向导通电流（IF）为31.2mA，正向导通压降（VF）为1.5V，表现出良好的导通特性。在反向截止状态下，漏电流（IR）仅为1μA，具备优异的阻断能力。该器件适用于需要稳定参考电压的电路，常用于电源管理、信号调理及电压钳位等场景，可为敏感电路提供过压保护，同时在直流电源转换和小型电子设备中实现电压基准功能，确保系统在复杂电磁环境中稳定运行。