2N1506

POWER BJT

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类型PNP
集射极耐压40 V
集电极电流500 mA
功率3 W

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技术参数

类型PNP
集射极耐压40 V
集电极电流500 mA最大
功率3 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)-
Current - Collector (Ic) (Max)500 mA
Power - Max3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)40 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Frequency - Transition-
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-
PackageBulk
Package / CaseTO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Supplier Device PackageTO-5AA
其他
MfrMicrochip Technology
Product StatusActive
Series-
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 50µA, 100µA

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技术资料

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