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| 电源 | |
|---|---|
| IC-最大集电极电流 | 15A |
| VCBO-CB结击穿电压 | 100V |
| VCBO-集基级击穿电压 | 100V |
| VCEO-CE结击穿电压 | 60V |
| VCEO-集射级击穿电压 | 70V |
| VEBO-射基级击穿电压 | 7V |
| 交流 / 直流特性 | |
| fT-变换频率 | NMHZ |
| hFE-最小直流增益 | 20 |
| Hfe-最小直流增益 | 20 |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | TO3P |
| 最大工作温度 | 200℃ |
| 其他 | |
| Pd-功率耗散 | 117W |
| Pd-最大功率耗散 | 117W |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 1.1V |
| 引脚数量1 | 3 |
器件图片
技术资料
数据手册数据手册 · 4.4 MB · 2026-09-22数据手册数据手册 · 820.5 KB · 2026-09-22数据手册数据手册 · 540.9 KB · 2026-09-22数据手册数据手册 · 521.5 KB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 4.3 MB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 2.2 MB · 2026-09-22环保合规环保合规 · 2.1 MB · 2026-09-22环保合规环保合规 · 1.2 MB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 731.1 KB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 610.6 KB · 2026-09-22其他资料其他资料 · 491.0 KB · 2026-09-22其他资料其他资料 · 377.8 KB · 2026-09-22其他资料其他资料 · 350.1 KB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 340.6 KB · 2026-09-22变更与勘误变更与勘误 · 221.6 KB · 2026-09-22变更与勘误变更与勘误 · 111.5 KB · 2026-09-22
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