Analog Devices Inc.美国

2N5114 TO-18 3L ROHS

JFET

单通道P沟道结型场效应管开关，低导通电阻，低电容

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技术参数

电源
栅源击穿电压(V(BR)GSS)30V
其他
FET类型1个P沟道
导通电阻(RDS(on))75Ω
耗散功率(Pd)500mW

技术资料

数据手册数据手册 · 410.7 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 207.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 174.4 KB · 2026-09-21
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