2N5116

2N5116

在产晶体管 - JFET

P-CHANNEL MOSFET TO-18

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技术参数

电源
Drain to Source Voltage (Vdss)600 mV
Power - Max500 mW
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)30 V
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-
PackageBulk
Package / CaseTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Supplier Device PackageTO-18
其他
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds25pF @ 15V
MfrSolid State Inc.
Product StatusActive
Resistance - RDS(On)150 Ohms
Series-

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