2N5663

POWER BJT

问 AI FAE
类型NPN
集射极耐压300 V
集电极电流2 A
放大倍数 hFE25

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技术参数

类型NPN
集射极耐压300 V
集电极电流2 A最大
放大倍数 hFE25500mA
功率1 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)200nA
Current - Collector (Ic) (Max)2 A
Power - Max1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)300 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition-
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-65°C~200°C(TJ)
PackageBulk
Package / CaseTO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Supplier Device PackageTO-5AA
其他
MfrMicrochip Technology
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic800mV @ 400mA, 2A

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技术资料

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