2N7002K-T1-GE3-ES
晶体管 - FET，MOSFET - 单带ESD防护，N沟道，60V，0.38A，1.75Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流380 mA
导通电阻2.06 Ω
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流380 mA
导通电阻2.06 Ω最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 380mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.06Ω@4.5V,0.2A |
| 数量 | 1个N沟道 |