MOSFET N-CH 60V 300MA 2OHM SOT-23
N沟道60V MOSFET，SOT-23封装，连续漏极电流0.3A，导通电阻最大2Ω，阈值电压典型2V，具备2000V ESD保护。规格书核对
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流190 ~ 300 mA
阈值电压2 V
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技术参数
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流190 ~ 300 mA0.3 A (TA = 25 °C)，0.19 A (TA = 100 °C)
阈值电压2 V典型
规格书核对参数
18 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 沟道 | N-Channel | |
| 耐压 | 60 V | |
| 连续漏极电流 | 0.3 A (TA = 25 °C), 0.19 A (TA = 100 °C) | |
| 导通电阻 | 2 Ω max. at VGS = 10 V | |
| 阈值电压 | 2 V (typ.) | |
| 封装 | SOT-23 (TO-236) |
全部参数（7 项）
| 电源 | |
|---|---|
| Continuous drain current (TJ =150 °C) TA =25 °C | 0.3 A |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Gate-threshold voltage | 1 V (Min) |
| 环境与封装 | |
| Operating junction and storage temperature range | -55 to +150 °C |
| Package | SOT-23 |
| 其他 | |
| Drain-source on-resistance b | 2 Ω (Max) |
| Total gate charge | 0.4 nC (Typ.) |
引脚与封装
封装SOT-23 (TO-236)
| 脚位 | 名称 | 功能 | 出处 |
|---|---|---|---|
| 1 | 栅极 (G) | ||
| 2 | 源极 (S) | ||
| 3 | 漏极 (D) |
器件图片
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。