2SA1182-Y,LF

在产晶体管 - 双极(BJT) - 单管TO-236-3

TRANS PNP 30V 0.5A SMINI

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类型PNP
集射极耐压30 V
集电极电流500 mA
放大倍数 hFE120

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技术参数

类型PNP
集射极耐压30 V
集电极电流500 mA最大
放大倍数 hFE120100mA
功率150 mW最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)500 mA
Power - Max150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)30 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition200MHz
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature125°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageS-Mini
其他
Base Product Number2SA1182
MfrToshiba Semiconductor and Storage
Product StatusActive
Series-
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA

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