Rohm Semiconductor日本

2SB1198KFRA

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技术参数

电源
IC-最大集电极电流	0.5A
VCEO-集射级击穿电压	80V
交流 / 直流特性
fT-变换频率	NMHZ
hFE-最小直流增益	120
其他
Pd-功率耗散	0.2W

技术资料

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