HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

这款NPN型三极管采用小型SOT-23封装，专为高效空间利用而设计。器件具备11V的集电极发射极击穿电压（VCEO）和0.1A的连续集电极电流（IC），放大倍数在50至250之间，提供稳定的信号放大性能。适用于各类低电压、小电流电子应用场合，是您电路设计的理想三极管选择。