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技术参数

电源
IC-最大集电极电流0.1A
VCBO-CB结击穿电压20V
VCBO-集基级击穿电压20V
VCEO-CE结击穿电压12V
VCEO-集射级击穿电压12V
VEBO-EB结击穿电压2V
VEBO-射基级击穿电压3V
最大集电极电流0.1A
交流 / 直流特性
fT-变换频率7MHZ
hFE-最小直流增益10
Hfe-最小直流增益130
最小直流增益240
转移频率7GHz
环境与封装
封装类型1SOT23
最大工作温度150°C
其他
Pd-功率耗散0.2W
Pd-最大功率耗散0.2W
VCEO耐压12V
VCE(sat)-CE结饱和压降0.3V
VCE(sat)-集射级饱和压降0.3V
引脚数量13
最大功率耗散0.2W

技术资料