喜可士-Secos

2SD669AT

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技术参数

电源
IC-最大集电极电流1.5A
VCBO-集基级击穿电压180V
VCEO-集射级击穿电压160V
交流 / 直流特性
fT-变换频率140MHZ
hFE-最小直流增益60
环境与封装
封装类型1TO126
其他
Pd-功率耗散1W
VCE(sat)-集射级饱和压降1V
引脚数量13

技术资料

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