TF(拓锋)中国

3400

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,电流:5.8A,耐压:30V

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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.8 A
导通电阻25 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.8 A
导通电阻25 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
其他
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 3.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 946.4 KB · 2026-09-21
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