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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.1 A
导通电阻30 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.1 A
导通电阻30 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.1A
其他
导通电阻(RDS(on))30mΩ@4.5V,4.1A
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 2.3 MB · 2026-09-21
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