Analog Devices Inc.美国

3N163 TO-72 4L

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压40 V
连续漏极电流50 mA
导通电阻250 Ω

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技术参数

沟道P 沟道
耐压40 V
连续漏极电流50 mA
导通电阻250 Ω最大 · 20V
电源
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)50mA
其他
导通电阻(RDS(on))250Ω@20V,100uA
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 410.7 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 207.1 KB · 2026-09-21
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