3N163 TO-72 4L
晶体管 - FET，MOSFET - 单1个P沟道 耐压:40V 电流:50mA
沟道P 沟道
耐压40 V
连续漏极电流50 mA
导通电阻250 Ω
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道P 沟道
耐压40 V
连续漏极电流50 mA
导通电阻250 Ω最大 · 20V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 50mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250Ω@20V |
| 数量 | 1个P沟道 |
技术资料
该型号暂未收录资料。
1个P沟道 耐压:40V 电流:50mA
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 50mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250Ω@20V |
| 数量 | 1个P沟道 |
该型号暂未收录资料。