Analog Devices Inc.美国

3N170 TO-72 4L

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压25 V
连续漏极电流30 mA
导通电阻200 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压25 V
连续漏极电流30 mA
导通电阻200 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)30mA
其他
导通电阻(RDS(on))200Ω@10V,100uA
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 410.7 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 207.1 KB · 2026-09-21
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