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MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA

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沟道N 沟道
耐压50 V
连续漏极电流100 mA
导通电阻7.8 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压50 V
连续漏极电流100 mA
导通电阻7.8 Ω最大 · 50mA
阈值电压1.3 V最大 · 100μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Power Dissipation (Max)250mW (Ta)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageBag
Package / CaseSC-72
Supplier Device Package3-SPA
其他
Base Product Number5LN01
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6.6 pF @ 10 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8Ohm @ 50mA, 4V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 100µA

技术资料

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