6080D
FM(富满)中国

6080D

晶体管 - FET，MOSFET - 单

68V N沟道增强型MOSFET,电流:64A,耐压:68V

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沟道N 沟道
耐压68 V
连续漏极电流80 A
导通电阻9.2 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压68 V
连续漏极电流80 A
导通电阻9.2 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)68V
连续漏极电流(Id)80A
其他
导通电阻(RDS(on))9.2mΩ@10V
数量1个N沟道

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6080D实物照片 · 产品库

技术资料

数据手册数据手册 · 1.2 MB · 2026-09-21
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