74HC00D

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

74HC00D是一款高速CMOS四路2输入与非门，采用SOIC14封装，工作电压2.0-6.0V，具备低静态功耗和静电保护功能。规格书核对

逻辑类型NAND

单元数4

输入数2

供电电压2 ~ 6 V

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逻辑类型NAND

单元数4

输入数2

供电电压2 ~ 6 V

传播延迟13 ns最大 · 6V

19 项

参数	值和测试条件	出处
逻辑类型	2-Input NAND Gate
单元数	Quad (4)
输入数	2
供电电压	2.0 to 6.0 V
传播延迟	6 ns (typ.) at VCC = 5 V
封装	SOIC14
工作温度	-40 to 85 °C (Commercial), -40 to 125 °C (Automotive/Industrial implied by DC char sections)
静态电流	1.0 μA (max) at Ta = 25 °C, VCC = 6.0 V
输入漏电流	±0.1 μA (max) at Ta = 25 °C, VCC = 6.0 V
高电平输入电压	Min 1.50 V (VCC=2.0V), Min 3.15 V (VCC=4.5V), Min 4.20 V (VCC=6.0V) at Ta = 25 °C
低电平输入电压	Max 0.50 V (VCC=2.0V), Max 1.35 V (VCC=4.5V), Max 1.80 V (VCC=6.0V) at Ta = 25 °C
高电平输出电压	Min 4.4 V (VCC=4.5V, IOH=-20μA), Min 4.18 V (VCC=4.5V, IOH=-4mA) at Ta = 25 °C
低电平输出电压	Max 0.1 V (VCC=4.5V, IOL=20μA), Max 0.26 V (VCC=4.5V, IOL=4mA) at Ta = 25 °C
绝对最大额定值-供电电压	-0.5 to 7.0 V
绝对最大额定值-输入电压	-0.5 to VCC + 0.5 V
绝对最大额定值-输出电流	±25 mA
绝对最大额定值-功耗	500 mW (Derates linearly with -8 mW/°C above 85 °C)
存储温度	-65 to 150 °C
保护功能	Protection circuits against static discharge or transient excess voltage

全部参数（19 项）展开收起

电源
Current - Output High, Low	5.2mA, 5.2mA
Current - Quiescent (Max)	1 µA
Voltage - Supply	2V ~ 6V
交流 / 直流特性
Max Propagation Delay @ V, Max CL	13ns @ 6V, 50pF
环境与封装
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-40°C~125°C
Package	Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package	14-SOIC
其他
Base Product Number	74HC00
Features	-
Input Logic Level - High	1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low	0.5V ~ 1.8V
Logic Type	NAND Gate
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Number of Circuits	4
Number of Inputs	2
Product Status	Active
Series	74HC

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。