SO-14 /TSSOP-14
Diodes Incorporated美国

74HC00S14-13

在产门和反相器SO-14

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SO

74HC00S14-13是一款四路2输入与非门，工作电压2.0V至6.0V，采用SO-14封装，具备施密特触发输入和低功耗CMOS特性。规格书核对

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逻辑类型NAND
单元数4
输入数2
供电电压2 ~ 6 V

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技术参数

逻辑类型NAND
单元数4
输入数2
供电电压2 ~ 6 V
传播延迟15 ns最大 · 6V

规格书核对参数

23 项
参数值和测试条件出处
逻辑类型Quad 2-Input NAND Gates
单元数4
输入数2
供电电压2.0V to 6.0V
封装SO-14
工作温度-40°C to +125°C
RoHSFully RoHS Compliant
无卤Halogen and Antimony Free
推荐供电电压Min: 2.0V, Max: 6.0V
绝对最大供电电压-0.5V to +7.0V
高电平输入电压Min: 1.5V (VCC=2.0V), 3.15V (VCC=4.5V), 4.2V (VCC=6.0V)
低电平输入电压Max: 0.5V (VCC=2.0V), 1.35V (VCC=4.5V), 1.8V (VCC=6.0V)
高电平输出电压Min: 1.9V (VCC=2.0V, IOH=-20μA), 4.4V (VCC=4.5V, IOH=-20μA), 5.9V (VCC=6.0V, IOH=-20μA)
低电平输出电压Max: 0.1V (VCC=2.0V, IOL=20μA), 0.1V (VCC=4.5V, IOL=20μA), 0.1V (VCC=6.0V, IOL=20μA)
输入电流Max: ±1μA (VI=GND to 5.5V, VCC=6.0V)
电源电流Max: 20μA (TA=-40°C to 85°C, VCC=6.0V), 40μA (TA=-40°C to 125°C, VCC=6.0V)
ESD保护 (HBM)2 kV
ESD保护 (CDM)1 kV
ESD保护 (MM)200 V
结温-40°C to +150°C
存储温度-65°C to +150°C
总功耗500 mW
输入转换速率Max: 625 ns/V (VCC=2.0V), 140 ns/V (VCC=4.5V), 85 ns/V (VCC=6.0V)
全部参数（19 项）展开收起
电源
Current - Output High, Low5.2mA, 5.2mA
Current - Quiescent (Max)20 µA
Voltage - Supply2V ~ 6V
交流 / 直流特性
Max Propagation Delay @ V, Max CL15ns @ 6V, 50pF
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-40°C~125°C(TA)
PackageTape & Reel (TR)
Package / Case14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package14-SO
其他
Base Product Number74HC00
Features-
Input Logic Level - High1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low0.5V ~ 1.8V
Logic TypeNAND Gate
MfrDiodes Incorporated
Number of Circuits4
Number of Inputs2
Product StatusActive
Series74HC

引脚与封装

SO-14 /TSSOP-14
SO-14 /TSSOP-14
封装：SO-14
脚位名称功能出处
11A数据输入
21B数据输入
31Y数据输出
42A数据输入
52B数据输入
62Y数据输出
7GND地
83Y数据输出
93A数据输入
103B数据输入
114Y数据输出
124A数据输入
134B数据输入
14VCC电源电压

器件图片

技术资料

数据手册数据手册 · 294.1 KB · 2026-11-09数据手册数据手册 · 294.1 KB · 2026-10-12
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