【联系：sales@hxymos.com】该P沟道场效应管额定漏极电流为5A，漏源击穿电压20V，导通电阻为35mΩ。器件在低电压平台下表现稳定，适用于电池组保护、负载切换及便携式设备的电源管理回路。其特定的导通阻抗特性有助于平衡系统功耗与热设计，适合空间受限的消费电子、通信终端及储能模块中的功率控制应用，满足紧凑型电路对可靠性的需求。
连续漏极电流5 A
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连续漏极电流5 A
| 环境与封装 | |
|---|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 其他 | |
| ID | 5A |
| RDON | 35mR |
| TYPE | P沟道 |
| VDSS | 20V |