本产品是一款1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有良好的高频开关特性和导通性能。其额定漏极电流ID为60A，导通电阻RDON为40mΩ，有助于提升系统能效并降低功率损耗。碳化硅材料的使用提升了器件的热稳定性和耐高压能力，适用于高效率电源转换设备、不间断电源、可再生能源系统中的逆变装置、高频功率变换器等多种高要求应用场景。器件设计优化，具备较强的可靠性和适应复杂工况的能力。【联系：sales@hxymos.com】
连续漏极电流60 A
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连续漏极电流60 A
| 环境与封装 | |
|---|---|
| 封装 | TO-247 |
| 其他 | |
| ID | 60A |
| RDON | 40mR |
| TYPE | N-ch |
| VDSS | 1200V |