AF4N65S
晶体管 - FET，MOSFET - 单650V,电流:4A,耐压:650V 停产
沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流4 A
导通电阻2.6 Ω
全部替代型号
查看完整报告已收录 34 个替代型号，其中国产替代 19 个，登录后查看。
技术参数
沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流4 A
导通电阻2.6 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
650V,电流:4A,耐压:650V 停产
已收录 34 个替代型号，其中国产替代 19 个，登录后查看。
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |