JSMSEMI(杰盛微)中国

AO3400A

晶体管 - FET，MOSFET - 单

便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗

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耐压30 V
连续漏极电流5.8 A
导通电阻52 mΩ

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技术参数

耐压30 V
连续漏极电流5.8 A
导通电阻52 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
其他
导通电阻(RDS(on))52mΩ@2.5V,4A
耗散功率(Pd)1.4W

技术资料

数据手册数据手册 · 35.2 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 947.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 622.4 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 413.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 371.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 225.2 KB · 2026-09-21
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